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第490章 为量子芯片提供理论基础（第3页）

不过理论上表现出的如此诱人前景，自然吸引了无数国家和科学机构将注意力投入到这个上面来。

徐川也不例外，尤其是他现在手上还掌控着这样一个大杀器。

只不过他在考虑的是，是和国家合作，一起展量子计算机领域，构建规则，掌控量子霸权，还是自己先继续研究一下。

各有各的优势，也各有各的缺点，的确很难让人抉择。

思索了一下，徐川摇了摇头，将脑海中的想法抛了出去。

先走一步看一步吧。量子计算机的展，他目前也抽不出什么时间来做这事。

小型化可控核聚变技术和空天动机都还没搞定，目前最主要的精力还是先放到这个上面再说。

收拾了一下书桌上的杂乱，徐川站起身，洗了个澡后赶往了川海材料研究所。

高临界磁场的导材料在模拟实验中已经得到了数据支持，接下来自然是将其通过真正的实验制备出来了。

本来这项工作在三天前就应该开始了，结果他因为一些意外的灵感在别墅中研究了三天的时间，而樊鹏越那边没收到指令，也不敢擅自开始，就这样拖了三天。

不过徐川也没太在意，这三天的时间，是完全值得的。

进入实验室，换上工作服，他找了两个正式研究员当助理，亲自开始制备引入了抗强磁性机理的高温铜碳银复合导材料。

制备这种改进型的导材料，在前期的时候步骤并没有多大区别。

通过真空冶金设备制造出纯度高、结晶组织好、粒度大小可控的原料，这是制备铜碳银复合材料的基础。

随后利用RF磁控溅射设备，将制备好的纳米材料溅射在srTio3基片上，形成一层薄膜。

而从这里开始，就是转折点了。

在原本的高温铜碳银符合导材料中，需要添加2%体积分数的多壁碳纳米管（netTs）和表面镀cu改性后的碳纳米管作为增强相。

但在强化导体中，需要通过引入过量的cu纳米粒的同时，在高温高压条件下通过电流刺激引导cu原子形成自旋，与c原子形成轨道杂化，来改善材料表面的结构。

这一步的主要目的就是让过量cu纳米粒中的cu原子掺杂进入空穴中，进而产生非平凡的量子现象，促使磁力阱的产生。

简单的来说，就是磁力阱的产生需要外界补充能量，而高温高压以及导电等方式，就是补充手段和调整cu原子自旋角度的手段。

这是纳米级材料与导体材料的性能和微观结构优化的常用手段之一。

除了高温高压外，还有渗透生长、溶液法、气相沉积法、物理沉积法等办法。

但因为需要额外补充能量的关系，这些手段大概都不太适合强化临界磁场的导体。

如果高温高压引导法不适合改进型的导材料，剩下的唯一途径，恐怕就是通过离子注入机来完成了。

但离子注入机的能级太高，会在较大程度上损坏导体，降低性能不说，工业化量产也是个相当麻烦的事情。

毕竟这是原材料的制备，不是半导体的生产，总得考虑性价比和制备难度。

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（本章完）

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